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III-V族材料紅外探測器

簡要描述：波蘭 VIGO System 公司是生產(chǎn)紅外探測器的專業(yè)公司,該公司具有包括MOCVD和MBE的完整紅外探測器生產(chǎn)線, 從MCT和III-V（InAs、InAsSb）族材料晶體生成、半導體襯底片（Wafer）、探測器全部自主生產(chǎn)；III-V族材料紅外探測器的波長響應范圍包括短波（InAs）、中波（InAsSb）及長波(10.6μm)，*符合歐盟的RoHS環(huán)保標準。

產(chǎn)品型號：PVA, PVIA, PVIA-2TE
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時間：2022-05-10
訪問量：1793

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紅外探測器

單波長紅外探測器銻化銦紅外探測器紅外氣體探測器

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品牌	VIGO PHOTONICS	價格區(qū)間	面議
產(chǎn)地類別	進口	應用領(lǐng)域	環(huán)保,化工,農(nóng)業(yè),地礦,電子
波長響應范圍：	波長響應范圍2-5微米	環(huán)保性能：	符合歐盟RoHS標準

品牌	VIGO PHOTONICS	價格區(qū)間	面議
產(chǎn)地類別	進口	應用領(lǐng)域	環(huán)保,化工,農(nóng)業(yè),地礦,電子
波長響應范圍：	波長響應范圍2-5微米	環(huán)保性能：	符合歐盟RoHS標準

波蘭 VIGO System 公司是生產(chǎn)紅外探測器及配套偏置和前置放大電路的專業(yè)公司,該公司具有包括MOCVD和MBE的完整的MCT和III-V族材料紅外探測器生產(chǎn)線, 從MCT和III-V（InAs、InAsSb）族材料晶體生成、半導體襯底片（Wafer）、探測器、偏置電路及前置放大器全部自主生產(chǎn)；III-V族材料紅外探測器的波長響應范圍包括短波（InAs）、中波（InAsSb）及長波(10.6μm)，*符合歐盟的RoHS環(huán)保標準；

按制冷方式分產(chǎn)品又可分2級半導體制冷型和非制型兩大類九種型號。

III-V族材料紅外探測器主要性能參數(shù)

型號序列	峰值波長主要參數(shù)	～3μm	～5μm	～10.6μm	技術(shù)特點
PVA-3 PVA-5 非制冷	D* cmHz^1/2/W	≥5.0×10⁹	≥5.0×10⁸		符合RoHS 環(huán)保產(chǎn)品
	Ri A/W	≥1.3	≥1.3
	時間常數(shù)τ ns	≤20	≤60
	波長響應范圍μm	2.15～3.5	2.3～5.5
PVA-2TE-3 PVA-2TE-5 2級制冷	D* cmHz^1/2/W	≥5.0×10¹⁰	≥4.0×10⁹
	Ri A/W	≥1.3	≥1.5
	時間常數(shù)τ ns	≤15	≤20
	波長響應范圍μm	2.1～3.4	2.4～5.5
PVIA-3 PVIA-5 非制冷	D* cmHz^1/2/W	≥5.0×10¹⁰	≥5.0×10⁹
	Ri A/W	≥1.3	≥1.3
	時間常數(shù)τ ns	≤20	≤15
	波長響應范圍μm	2.15～3.5	2.3～5.5
PVIA-2TE-3 PVIA-2TE-5 PVIA-2TE-10.6 2級制冷	D* cmHz^1/2/W	≥5.0×10¹¹	≥4.0×10¹⁰	≥3.0×10⁹
	Ri A/W	≥1.3	≥1.5	TBD
	時間常數(shù)τ ns	≤15	≤5	TBD
	波長響應范圍μm	2.1～3.4	2.4～5.5	1.7～11.5
環(huán)保應用例	特定吸收波長	～2.9μm	～4.5μm	～9.4μm
環(huán)保應用例	適測氣體	H₂O	N₂O、CO	CO2

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